Այսօրվա պահեստավորման համակարգերը ոչ միայն աճում են տերաբիթներով և ունեն ավելի բարձր տվյալների փոխանցման արագություն, այլև պահանջում են ավելի քիչ էներգիա և զբաղեցնում են ավելի փոքր տարածք։ Այս համակարգերը նաև կարիք ունեն ավելի լավ կապի՝ ավելի մեծ ճկունություն ապահովելու համար։ Նախագծողներին անհրաժեշտ են ավելի փոքր միջմիավորներ՝ այսօր կամ ապագայում անհրաժեշտ տվյալների փոխանցման արագությունն ապահովելու համար։ Եվ ծնունդից մինչև զարգացում և աստիճանաբար հասունացում նորմը մեկ օրվա աշխատանքից հեռու է։ Հատկապես ՏՏ ոլորտում ցանկացած տեխնոլոգիա անընդհատ կատարելագործվում և զարգանում է, ինչպես նաև Serial Attached SCSI (SAS) սպեցիֆիկացիան։ Որպես զուգահեռ SCSI-ի իրավահաջորդ՝ SAS սպեցիֆիկացիան գոյություն ունի որոշ ժամանակ։
SAS-ի անցած տարիների ընթացքում դրա տեխնիկական բնութագրերը բարելավվել են, չնայած հիմնական արձանագրությունը պահպանվել է, հիմնականում շատ փոփոխություններ չկան, բայց արտաքին ինտերֆեյսի միակցիչի տեխնիկական բնութագրերը ենթարկվել են բազմաթիվ փոփոխությունների, ինչը SAS-ի կողմից շուկայական միջավայրին հարմարվելու համար կատարված ճշգրտում է։ Այս «հազար մղոնների աստիճանական քայլերով» շարունակական կատարելագործման հետ մեկտեղ SAS տեխնիկական բնութագրերը գնալով հասունանում են։ Տարբեր տեխնիկական բնութագրերի ինտերֆեյսի միակցիչները կոչվում են SAS, և զուգահեռից սերիականին, զուգահեռ SCSI տեխնոլոգիայից սերիական միացված SCSI (SAS) տեխնոլոգիային անցումը մեծապես փոխել է մալուխների երթուղայնացման սխեման։ Նախկին զուգահեռ SCSI-ները կարող էին աշխատել միակողմանի կամ դիֆերենցիալ 16 ալիքներով՝ մինչև 320 Մբ/վ արագությամբ։ Ներկայումս շուկայում դեռևս օգտագործվում է SAS3.0 ինտերֆեյսը, որն ավելի տարածված է ձեռնարկությունների պահեստավորման ոլորտում, բայց թողունակությունը երկու անգամ ավելի արագ է, քան SAS3-ը, որը երկար ժամանակ չի թարմացվել, որը կազմում է 24 Գբ/վ, որը սովորական PCIe3.0×4 պինդ վիճակի սկավառակի թողունակության մոտ 75%-ն է։ SAS-4 սպեցիֆիկացիայում նկարագրված ամենավերջին MiniSAS միակցիչը ավելի փոքր է և թույլ է տալիս ավելի բարձր խտություն ապահովել: Ամենավերջին Mini-SAS միակցիչը SCSI միակցիչի կես չափի և SAS միակցիչի 70%-ի չափի է: Ի տարբերություն SCSI զուգահեռ մալուխի, և՛ SAS-ը, և՛ Mini SAS-ը ունեն չորս ալիք: Այնուամենայնիվ, ավելի բարձր արագությունից, ավելի բարձր խտությունից և ավելի մեծ ճկունությունից բացի, կա նաև բարդության աճ: Միակցիչի փոքր չափի պատճառով, մալուխի սկզբնական արտադրողը, մալուխների հավաքողը և համակարգի նախագծողը պետք է մեծ ուշադրություն դարձնեն ազդանշանի ամբողջականության պարամետրերին մալուխի հավաքման ողջ ընթացքում:
Ոչ բոլոր մալուխների հավաքողները կարող են ապահովել բարձրորակ բարձր արագության ազդանշաններ՝ բավարարելու պահեստավորման համակարգերի ազդանշանի ամբողջականության պահանջները: Մալուխների հավաքողները կարիք ունեն բարձրորակ և մատչելի լուծումների ժամանակակից պահեստավորման համակարգերի համար: Կայուն, դիմացկուն բարձր արագության մալուխային հավաքույթներ արտադրելու համար անհրաժեշտ է հաշվի առնել մի քանի գործոններ: Բացի մեքենայական մշակման և մշակման որակը պահպանելուց, նախագծողները պետք է մեծ ուշադրություն դարձնեն ազդանշանի ամբողջականության պարամետրերին, որոնք հնարավոր են դարձնում այսօրվա բարձր արագության հիշողության սարքերի մալուխները:
Սիգնալի ամբողջականության սպեցիֆիկացիա (Ո՞ր ազդանշանն է ամբողջական):
Սիգնալի ամբողջականության հիմնական պարամետրերից են ներդրման կորուստը, մոտ և հեռավոր ծայրերում խաչաձև կապը, վերադարձի կորուստը, տարբերության զույգի ներքին թեք աղավաղումը և տարբերության ռեժիմի և ընդհանուր ռեժիմի ամպլիտուդը։ Չնայած այս գործոնները փոխկապակցված են և ազդում են միմյանց վրա, մենք կարող ենք միաժամանակ դիտարկել մեկ գործոն՝ դրա հիմնական ազդեցությունն ուսումնասիրելու համար։
Ներդրման կորուստ (Բարձր հաճախականության պարամետրերի հիմունքներ 01- թուլացման պարամետրեր)
Մուտքային կորուստը ազդանշանի ամպլիտուդի կորուստն է մալուխի փոխանցող ծայրից դեպի ընդունող ծայր, որը ուղիղ համեմատական է հաճախականությանը: Մուտքային կորուստը կախված է նաև լարերի քանակից, ինչպես ցույց է տրված ստորև բերված թուլացման դիագրամում: 30 կամ 28 AWG մալուխի կարճ հեռավորության ներքին բաղադրիչների համար լավ որակի մալուխը պետք է ունենա 2dB/m-ից պակաս թուլացում 1.5 ԳՀց հաճախականությամբ: Արտաքին 6Gb/s SAS-ի համար, որն օգտագործում է 10 մ մալուխներ, խորհուրդ է տրվում օգտագործել 24 միջին գծի տրամաչափով մալուխ, որն ունի ընդամենը 13dB թուլացում 3 ԳՀց հաճախականությամբ: Եթե ցանկանում եք ավելի մեծ ազդանշանի մարժա ավելի բարձր տվյալների փոխանցման արագությունների դեպքում, ապա ավելի երկար մալուխների համար ընտրեք մալուխ, որն ունի ավելի քիչ թուլացում բարձր հաճախականությունների դեպքում:
Խաչաձև կապ (Բարձր հաճախականության պարամետրերի հիմունքներ 03 - Խաչաձև կապ պարամետրեր)
Մեկ ազդանշանից կամ դիֆերենցիալ զույգից մյուսին փոխանցվող էներգիայի քանակը։ SAS մալուխների դեպքում, եթե մոտակա ծայրերի խաչաձև խոսակցությունը (NEXT) բավականաչափ փոքր չէ, այն կառաջացնի կապի հետ կապված խնդիրների մեծ մասը։ NEXT-ի չափումը կատարվում է մալուխի միայն մեկ ծայրում, և դա ելքային փոխանցման ազդանշանի զույգից մուտքային ընդունող զույգին փոխանցվող էներգիայի քանակն է։ Հեռավոր ծայրերի խաչաձև խոսակցությունը (FEXT) չափվում է՝ մալուխի մեկ ծայրում հաղորդման զույգի համար ազդանշան ներարկելով և դիտարկելով, թե որքան էներգիա է մնում հաղորդման ազդանշանի վրա մալուխի մյուս ծայրում։
Հաջորդ խնդիրը մալուխային հավաքման և միակցիչի մեջ սովորաբար առաջանում է ազդանշանային դիֆերենցիալ զույգերի վատ մեկուսացման պատճառով, որը կարող է առաջանալ վարդակների և մոմերի, թերի հողանցման կամ մալուխի ավարտման տարածքի վատ մշակման պատճառով: Համակարգի նախագծողը պետք է համոզվի, որ մալուխային հավաքողը լուծել է այս երեք խնդիրները:
Կորուստների կորեր 24, 26 և 28 սովորական 100Ω մալուխների համար
«SFF-8410-Specification for HSS Copper Testing and Performance Requirements» չափված NEXT-ի լավ որակի մալուխային հավաքման դեպքում այն պետք է լինի 3%-ից պակաս։ Ինչ վերաբերում է s-պարամետրին, NEXT-ը պետք է լինի 28dB-ից մեծ։
Վերադարձի կորուստ (Բարձր հաճախականության պարամետրերի հիմունքներ 06- Վերադարձի կորուստ)
Վերադարձի կորուստը չափում է համակարգից կամ մալուխից անդրադարձած էներգիայի քանակը, երբ ազդանշան է ներարկվում: Այս անդրադարձած էներգիան կարող է ազդանշանի ամպլիտուդի անկում առաջացնել մալուխի ընդունող ծայրում և կարող է ազդանշանի ամբողջականության խնդիրներ առաջացնել հաղորդող ծայրում, ինչը կարող է էլեկտրամագնիսական միջամտության խնդիրներ առաջացնել համակարգի և համակարգի նախագծողների համար:
Այս վերադարձի կորուստը պայմանավորված է մալուխային հավաքածուի իմպեդանսի անհամապատասխանություններով: Միայն այս խնդրին մեծ զգուշությամբ մոտենալով կարող է ազդանշանի իմպեդանսը չփոխվել, երբ այն անցնում է վարդակից, միակցիչից և լարի ծայրից, որպեսզի իմպեդանսի փոփոխությունը նվազագույնի հասցվի: Ներկայիս SAS-4 ստանդարտը թարմացվել է ±3Ω իմպեդանսի արժեքով՝ համեմատած SAS-2-ի ±10Ω-ի հետ, և որակյալ մալուխների պահանջները պետք է պահվեն 85 կամ 100±3Ω անվանական հանդուրժողականության սահմաններում:
Թեք աղավաղում
SAS մալուխներում կան երկու թեք աղավաղումներ՝ տարբերությունների զույգերի միջև և տարբերությունների զույգերի ներսում (ազդանշանի ամբողջականության տեսության տարբերության ազդանշան): Տեսականորեն, եթե մալուխի մեկ ծայրում մուտքագրվում են բազմաթիվ ազդանշաններ, դրանք պետք է միաժամանակ հասնեն մյուս ծայրին: Եթե այս ազդանշանները չեն հասնում միաժամանակ, այս երևույթը կոչվում է մալուխի թեք աղավաղում կամ ուշացում-թեք աղավաղում: Տարբերությունների զույգերի համար տարբերությունների զույգի ներսում թեք աղավաղումը տարբերությունների զույգի երկու լարերի միջև ուշացումն է, իսկ տարբերությունների զույգերի միջև թեք աղավաղումը՝ տարբերությունների զույգերի երկու հավաքածուների միջև ուշացումը: Տարբերությունների զույգի մեծ թեք աղավաղումը կվատթարացնի փոխանցվող ազդանշանի տարբերության հավասարակշռությունը, կնվազեցնի ազդանշանի ամպլիտուդը, կմեծացնի ժամանակի տատանումը և կառաջացնի էլեկտրամագնիսական միջամտության խնդիրներ: Լավ որակի մալուխի տարբերությունը ներքին թեք աղավաղումից պետք է լինի 10ps-ից պակաս:
Հրապարակման ժամանակը. Նոյեմբերի 30-2023
